发明授权
CN102203104B 甲硅烷和四烷氧基硅烷的制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 甲硅烷和四烷氧基硅烷的制造方法
- 专利标题（英）： Method for producing monosilane and tetraalkoxysilane
-
申请号： CN200980143306.X申请日： 2009-10-30
-
公开(公告)号： CN102203104B公开(公告)日： 2014-12-31
- 发明人: 大野博基 , 大井敏夫 , 伊藤晴明 , F·马赫穆托夫
- 申请人： 昭和电工株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 昭和电工株式会社
- 当前专利权人： 昭和电工株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理商 段承恩; 田欣
- 优先权： 281206/2008 2008.10.31 JP
- 国际申请： PCT/JP2009/068648 2009.10.30
- 国际公布： WO2010/050579 JA 2010.05.06
- 进入国家日期： 2011-04-29
- 主分类号： C07F7/04
- IPC分类号： C07F7/04 ; C01B33/04
摘要：
本发明涉及使通式(1)所示的烷氧基硅烷在包含碱金属氟化物的催化剂和催化剂活化剂的存在下、在气相中进行歧化反应的甲硅烷和四烷氧基硅烷的制造方法，HnSi(OR)4-n (1)(式中，R表示碳原子数1～6的烷基，n是1～3的整数。)。根据本发明的制造方法，通过液相中的烷氧基硅烷的歧化反应来制造甲硅烷和四烷氧基硅烷的方法，可以解决与溶剂难以分离的问题和由于反应非常慢而不适合工业制造的问题。
公开/授权文献
- CN102203104A 甲硅烷和四烷氧基硅烷的制造方法 公开/授权日：2011-09-28
