发明授权
CN102173829B 硼化锆-碳化硅/石墨层状超高温陶瓷的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 硼化锆-碳化硅/石墨层状超高温陶瓷的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of zirconium boride-silicon carbide/graphite layered superhigh temperature ceramic
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申请号: CN201010622373.4申请日: 2010-12-30
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公开(公告)号: CN102173829B公开(公告)日: 2013-03-13
- 发明人: 魏春城 , 牛金叶 , 刘曙光 , 冯柳
- 申请人: 山东理工大学
- 申请人地址: 山东省淄博市高新技术产业开发区高创园D座1012
- 专利权人: 山东理工大学
- 当前专利权人: 山东理工大学
- 当前专利权人地址: 山东省淄博市高新技术产业开发区高创园D座1012
- 主分类号: C04B35/66
- IPC分类号: C04B35/66 ; B32B18/00 ; C04B35/58 ; C04B35/52 ; C04B35/622
摘要:
本发明提供一种硼化锆-碳化硅/石墨层状超高温陶瓷的制备方法,其特征在于采用以下步骤:1)采用流延法分别制备硼化锆流延片与石墨流延片:先将粘结剂和增塑剂加入溶剂中搅拌均匀,再分别加入硼化锆陶瓷粉料和石墨陶瓷粉料、搅拌均匀,形成流延料,然后流延成型,室温干燥脱模后分别得到200~1000μm厚的硼化锆流延片和20~100μm厚的石墨流延片;2)对硼化锆流延片和石墨流延片依照模具大小分别切片;3)将硼化锆片和石墨片交替叠加放入石墨磨具中,真空脱脂;4)在氩气气氛下热压烧结,制备出层状超高温陶瓷。本发明制备工艺简单、成本低,所得材料可加工性强,组成成分可控,韧性高达11.3MPa·m1/2。
公开/授权文献
- CN102173829A 硼化锆-碳化硅/石墨层状超高温陶瓷的制备方法 公开/授权日:2011-09-07