• 专利标题: 硼化锆-碳化硅/石墨层状超高温陶瓷的制备方法
  • 专利标题(英): Preparation method of zirconium boride-silicon carbide/graphite layered superhigh temperature ceramic
  • 申请号: CN201010622373.4
    申请日: 2010-12-30
  • 公开(公告)号: CN102173829B
    公开(公告)日: 2013-03-13
  • 发明人: 魏春城牛金叶刘曙光冯柳
  • 申请人: 山东理工大学
  • 申请人地址: 山东省淄博市高新技术产业开发区高创园D座1012
  • 专利权人: 山东理工大学
  • 当前专利权人: 山东理工大学
  • 当前专利权人地址: 山东省淄博市高新技术产业开发区高创园D座1012
  • 主分类号: C04B35/66
  • IPC分类号: C04B35/66 B32B18/00 C04B35/58 C04B35/52 C04B35/622
硼化锆-碳化硅/石墨层状超高温陶瓷的制备方法
摘要:
本发明提供一种硼化锆-碳化硅/石墨层状超高温陶瓷的制备方法,其特征在于采用以下步骤:1)采用流延法分别制备硼化锆流延片与石墨流延片:先将粘结剂和增塑剂加入溶剂中搅拌均匀,再分别加入硼化锆陶瓷粉料和石墨陶瓷粉料、搅拌均匀,形成流延料,然后流延成型,室温干燥脱模后分别得到200~1000μm厚的硼化锆流延片和20~100μm厚的石墨流延片;2)对硼化锆流延片和石墨流延片依照模具大小分别切片;3)将硼化锆片和石墨片交替叠加放入石墨磨具中,真空脱脂;4)在氩气气氛下热压烧结,制备出层状超高温陶瓷。本发明制备工艺简单、成本低,所得材料可加工性强,组成成分可控,韧性高达11.3MPa·m1/2。
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