- 专利标题: 碳化硅功率模块的封装方法及碳化硅功率模块
- 专利标题(英): Silicon carbide power module and packaging method thereof
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申请号: CN201110000519.6申请日: 2011-01-04
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公开(公告)号: CN102130021B公开(公告)日: 2012-10-24
- 发明人: 丁荣军 , 罗海辉 , 雷云 , 李继鲁 , 吴煜东 , 刘国友 , 彭勇殿 , 张明 , 温家良 , 金锐
- 申请人: 株洲南车时代电气股份有限公司 , 中国电力科学研究院
- 申请人地址: 湖南省株洲市石峰区时代路
- 专利权人: 株洲南车时代电气股份有限公司,中国电力科学研究院
- 当前专利权人: 株洲南车时代电气股份有限公司,中国电力科学研究院
- 当前专利权人地址: 湖南省株洲市石峰区时代路
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 逯长明; 王宝筠
- 主分类号: H01L21/50
- IPC分类号: H01L21/50 ; H01L21/58 ; H01L21/60 ; H01L23/488 ; H01L23/29 ; H01L25/00
摘要:
本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装方法,包括以下步骤:在钼板上焊接一层氮化铝隔离层,将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中,与钼板焊接;在碳化硅芯片上焊接钼块,钼块上预留门极引线槽;将引线放置在门极引线槽内,在引线上设置一压环,压环内放置弹簧,弹簧压接引线,收集引线并引出;用环氧树脂将钼板、氮化硅隔离层及碳化硅芯片整体浇筑成型,安装底座、管壳和管盖,进行封装。本发明还公开一种碳化硅功率模块。本发明可使碳化硅功率模块在大功率、高温工作条件下具有较高的可靠性,较强的热循环能力。
公开/授权文献
- CN102130021A 碳化硅功率模块的封装方法及碳化硅功率模块 公开/授权日:2011-07-20
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