发明授权
CN102080261B 一种多孔SnO2纳米线束的合成方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种多孔SnO2纳米线束的合成方法
- 专利标题(英): Method for synthesizing porous SnO2 nano-wire harness
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申请号: CN201010589343.8申请日: 2010-12-15
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公开(公告)号: CN102080261B公开(公告)日: 2012-11-21
- 发明人: 武祥 , 韩玉涛 , 宫丽红
- 申请人: 哈尔滨师范大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区和兴路50号
- 专利权人: 哈尔滨师范大学
- 当前专利权人: 哈尔滨师范大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区和兴路50号
- 代理机构: 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- 代理商 韩末洙
- 主分类号: C30B29/16
- IPC分类号: C30B29/16 ; C30B29/62 ; C30B7/14 ; C30B1/02 ; C01G19/02
摘要:
一种多孔SnO2纳米线束的合成方法,它涉及一种纳米线的制备方法。它要解决现有制备方法中工艺路线复杂、有机原料的成本较高、设备昂贵以及反应温度较高限制工业化生产的问题。一种多孔SnO2纳米线束的合成方法是:一、无水乙醇和聚乙二醇600混合均匀;二、将SnCl2·2H2O加入混合液中;三、离心得沉淀;四、用去离子水离心洗涤沉淀;五、用无水乙醇离心洗涤沉淀;六、干燥退火,得到多孔SnO2纳米线束。该发明反应条件温和,无需加热,在常温常压下就能反应,对反应设备要求低,节约能源而且反应过程中不产生有害物质,该合成方法工艺简单,操作安全方便,原料容易获得、成本低且环境友好,在半导体材料领域中有广阔的应用前景。
公开/授权文献
- CN102080261A 一种多孔SnO2纳米线束的合成方法 公开/授权日:2011-06-01
IPC分类: