本发明提供一种用于制造柔性半导体装置的方法，在该制造方法的特征在于，包括：(i)在金属箔的上面形成绝缘膜的工序、(ii)在金属箔的上面形成取出电极图形的工序、(iii)按照与取出电极图形接触的方式在绝缘膜上形成半导体层的工序、(iv)按照覆盖半导体层及取出电极图形的方式在金属箔的上面形成密封树脂层的工序、和(v)通过蚀刻金属箔形成电极的工序，将金属箔用作用于在上述(i)～(iv)形成的绝缘膜、取出电极图形、半导体层及密封树脂层的支撑体，并且在上述(v)中用作电极构成材料。在该制造方法中，能够将作为支撑体的金属箔有效用作TFT元件的电极，不需要最终剥离作为支撑体的金属箔，因此，能够通过简便的工艺来制作TFT元件，能够提高生产率。另外，使用金属箔作为支撑体，因此能够在绝缘膜及半导体层等的制作中积极地导入高温工艺，能够优选提高TFT特性。