发明授权
- 专利标题： 高宽高比的开口
- 专利标题（英）： High aspect ratio openings
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申请号： CN200980112416.X申请日： 2009-03-18
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公开(公告)号： CN101990710B公开(公告)日： 2013-01-30
- 发明人: 马克·W·基尔鲍赫
- 申请人： 美光科技公司
- 申请人地址： 美国爱达荷州
- 专利权人： 美光科技公司
- 当前专利权人： 美光科技公司
- 当前专利权人地址： 美国爱达荷州
- 代理机构： 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理商 宋献涛
- 优先权： 12/099,577 2008.04.08 US
- 国际申请： PCT/US2009/001693 2009.03.18
- 国际公布： WO2009/126204 EN 2009.10.15
- 进入国家日期： 2010-10-08
- 主分类号： H01L27/108
- IPC分类号： H01L27/108 ; H01L21/8242 ; H01L27/04 ; H01L21/3065
摘要：
本发明揭示一种电容器形成方法，其包括在衬底上形成导电支撑材料，其中所述支撑材料含有至少25原子％的碳。所述方法包括形成至少穿过所述支撑材料的开口，其中所述开口在所述支撑材料的厚度内具有至少20∶1的宽高比。在形成所述开口之后，所述方法包括：处理所述支撑材料以实现导电率的减小；以及在所述开口中形成电容器结构。
公开/授权文献
- CN101990710A 高宽高比的开口 公开/授权日：2011-03-23
IPC分类:
