发明授权
CN101971328B 晶圆堆叠制作方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 晶圆堆叠制作方法
- 专利标题(英): Method for manufacturing wafer stack
-
申请号: CN200880127544.7申请日: 2008-02-27
-
公开(公告)号: CN101971328B公开(公告)日: 2012-03-07
- 发明人: 张东莹 , 金星杰 , 成在庸 , 金恩卿
- 申请人: 财团法人首尔科技园区
- 申请人地址: 韩国首尔市
- 专利权人: 财团法人首尔科技园区
- 当前专利权人: 财团法人首尔科技园区
- 当前专利权人地址: 韩国首尔市
- 代理机构: 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司
- 代理商 张涛
- 优先权: 10-2008-0017295 2008.02.26 KR
- 国际申请: PCT/KR2008/001129 2008.02.27
- 国际公布: WO2009/107883 EN 2009.09.03
- 进入国家日期: 2010-08-26
- 主分类号: H01L23/12
- IPC分类号: H01L23/12
摘要:
本发明涉及一种晶圆堆叠制作方法,具体涉及一种在堆叠晶圆的状态下实施晶背研磨工序而简化晶圆堆叠制作工序并减少制造费用的晶圆堆叠制作方法。为了实现上述目的,本发明中,在基片上堆叠若干个分片而制作晶圆堆叠的方法包括以下步骤:(a)制备前面上形成活性层的基片和分片且在形成于所述基片的活性层上形成凸块的步骤;(b)堆叠所述分片时使所述分片的前面朝向所述基片的前面的步骤;(c)研磨所述分片的后面使所述分片的厚度变薄的步骤;(d)在所述分片的后面形成凸块的步骤;(e)1次以上反复实施所述步骤(b)至步骤(d)的步骤。
公开/授权文献
- CN101971328A 晶圆堆叠制作方法 公开/授权日:2011-02-09
IPC分类: