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发明公开
CN101946335A 太阳能电池及太阳能电池的制造方法 失效 - 权利终止

  • 专利标题： 太阳能电池及太阳能电池的制造方法
  • 专利标题（英）： Solar cell and method for manufacturing solar cell
  • 申请号： CN200980105830.8
    申请日： 2009-02-16
  • 公开(公告)号： CN101946335A
    公开(公告)日： 2011-01-12
  • 发明人: 十楚博行 , 高本达也
  • 申请人： 夏普株式会社
  • 申请人地址： 日本大阪府
  • 专利权人： 夏普株式会社
  • 当前专利权人： 夏普株式会社
  • 当前专利权人地址： 日本大阪府
  • 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
  • 代理商 岳雪兰
  • 优先权： 039998/08 2008.02.21 JP
  • 国际申请： PCT/JP2009/052562 2009.02.16
  • 国际公布： WO2009/104561 JA 2009.08.27
  • 进入国家日期： 2010-08-20
  • 主分类号： H01L31/18
  • IPC分类号： H01L31/18 ;  H01L31/042
太阳能电池及太阳能电池的制造方法
摘要：
本发明提供一种太阳能电池及太阳能电池的制造方法，该太阳能电池包括背面电极层(5)、形成于背面电极层(5)表面上的半导体层(3)及形成于半导体层(3)表面上的表面电极层(7)，在背面电极层(5)的与形成有半导体层(3)的一侧相反的一侧的表面上具有支承层(8)，半导体层(3)包含至少一个pn结。所述太阳能电池具有多个将支承层开口部(6c)和半导体层开口部(6b)连接的作为空洞的通孔(16)，该支承层开口部(6c)形成于支承层(8)的与形成有背面电极层(5)的一侧相反的一侧的表面，该半导体层开口部(6b)形成于半导体层(3)的与形成有背面电极层(5)的一侧相反的一侧的表面。表面电极层(7)形成在未形成有半导体层开口部(6b)的区域内。
摘要（英）：

Disclosed is a solar cell comprising a backside electrode layer (5), a semiconductor layer (3) formed on a surface of the backside electrode layer (5), a surface electrode layer (7) formed on a surface of the semiconductor layer (3), and a support layer (8) formed on another surface of the backside electrode layer (5) which is opposite to the surface on which the semiconductor layer (3) is formed. The semiconductor layer (3) comprises at least one pn junction. The solar cell is also provided with a plurality of through holes (16) which are hollow holes by which support-layer openings (6c) formed in a surface of the support layer (8) which is opposite to the surface on which the backside electrode layer (5) is formed are connected with semiconductor-layer openings (6b) formed in a surface of the semiconductor layer (3) which is opposite to the surface on which the backside electrode layer (5) is formed. The surface electrode layer (7) is formed in a region where the semiconductor-layer openings (6b) are not formed. A method for manufacturing the solar cell is also disclosed.

公开/授权文献
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