发明授权
CN101916043B 厚胶介质补偿紫外光垂直光刻工艺三维光强分布模拟方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 厚胶介质补偿紫外光垂直光刻工艺三维光强分布模拟方法
- 专利标题(英): Analogy method for distribution of three-dimensional light intensity compensated by heavy glue medium in UV-light vertical photoetching technology
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申请号: CN201010236322.8申请日: 2010-07-26
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公开(公告)号: CN101916043B公开(公告)日: 2011-12-21
- 发明人: 周再发 , 黄庆安 , 李伟华
- 申请人: 东南大学
- 申请人地址: 江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号
- 专利权人: 东南大学
- 当前专利权人: 东南大学
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号
- 代理机构: 南京苏高专利商标事务所
- 代理商 柏尚春
- 主分类号: G03F7/20
- IPC分类号: G03F7/20 ; G06F17/50
摘要:
本发明涉及一种厚胶介质补偿紫外光垂直光刻工艺三维光强分布模拟方法,该方法用于厚胶介质补偿紫外光垂直光刻工艺三维光强模拟模型,该模型为立方体,自上到下依次包括相互平行的掩模版(M)、补偿介质(C)、厚胶(R)和衬底(W),在掩模版(M)设有掩模孔,该掩模孔的四个边界定点的坐标分别为A1(x1,y1,0)、A2(x2,y2,0)、A3(x3,y3,0)和A4(x4,y4,0),补偿介质(C)的厚度为d1,厚胶(R)的厚度为d,厚胶(R)内任意一个网格坐标P(x,y,z);厚胶(R)内任意一个网格坐标P(x,y,z)到掩膜版(M)的距离为z。该方法解决了目前没有厚胶紫外光垂直光刻工艺的高精度三维光强分布模拟方法的问题。
公开/授权文献
- CN101916043A 厚胶介质补偿紫外光垂直光刻工艺三维光强分布模拟方法 公开/授权日:2010-12-15
IPC分类: