• 专利标题: 单浸渍管硅铁浴真空环流炼镁装置及其方法
  • 专利标题(英): Single-dip pipe silicon iron bath vacuum circulated magnesium-smelting device and method
  • 申请号: CN201010255111.9
    申请日: 2010-08-17
  • 公开(公告)号: CN101914692A
    公开(公告)日: 2010-12-15
  • 发明人: 牛强储少军
  • 申请人: 牛强
  • 申请人地址: 北京市西城区三里河路52号中国科学院院士工作局
  • 专利权人: 牛强
  • 当前专利权人: 杭州吉幔铁氢能科技有限公司
  • 当前专利权人地址: 北京市西城区三里河路52号中国科学院院士工作局
  • 主分类号: C22B26/22
  • IPC分类号: C22B26/22
单浸渍管硅铁浴真空环流炼镁装置及其方法
摘要:
本发明公开了单浸渍管硅铁浴真空环流炼镁的装置及其方法,装置包括:感应炉(101)、真空反应室(104)、单浸渍管(102)及侧壁连通导流的氩气喷吹管(110);连通的镁蒸气冷凝器(206)、镁液喷淋器(210)和镁液储存器(202),镁矿粉输送和喷射装置(111)~(115)。所述工艺为含硅量30%~65%的硅铁液,温度为1350~1600℃;硅铁液与喷吹入其中的镁矿粉混合物在真空反应装置和感应炉之间环形流动,真空度350Pa~10000Pa,反应生成镁蒸气,经冷凝和镁液喷淋生成镁液入储存装置,浇注镁锭。本发明具有节能低耗、生产率高等优点。
公开/授权文献
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