RF功率耦合至等离子体室的电极上的一个或多个RF驱动点，使得耦合至电极的较靠近该工件通道的半部上的RF功率值超过耦合至该电极的另一半部上多个RF驱动点(如果有的话)的RF功率值。或者，RF功率耦合至等离子体室的电极上一个或多个RF驱动点，使得这些驱动点位置的加权平均在该电极中心与该工件通道之间。该加权平均是利用耦合至该驱动点位置的RF功率的时间平均值来加权每个驱动点位置所计算而得。本发明抵消掉在邻近电极最靠近通道的末端处的等离子体密度的增加，否则在邻近电极最靠近通道的末端处将存在等离子体密度增加的现象。