本发明涉及一种整体式低阻抗双栅电流感测MOSFET。其中，功率开关包括具有第一源电极、第一栅电极和第一漏电极的第一功率晶体管，以及具有第二源电极、第二栅电极和第二漏电极的第二功率晶体管。功率开关进一步包括具有第三源电极、第三栅电极和第三漏电极的第一引导晶体管。第一、第二和第三漏电极被电连接在一起。第一和第二源电极被电连接在一起。第一和第三栅电极被电连接在一起，并可以独立于第二栅电极被偏置。第一功率晶体管的尺寸等于或小于第二功率晶体管的尺寸，并且，第一功率晶体管比第一引导晶体管大。第一功率晶体管、第二功率晶体管和第一引导晶体管整体地集成在集成电路中。