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发明授权
CN101872682B 高光电效率二氧化钛光纳米管阵列光阳极的制备方法 失效 - 权利终止

  • 专利标题： 高光电效率二氧化钛光纳米管阵列光阳极的制备方法
  • 专利标题（英）： Preparation method of titanium-dioxide photo-nanotube array photo-anode with high photoelectric efficiency
  • 申请号： CN201010190390.5
    申请日： 2010-06-02
  • 公开(公告)号： CN101872682B
    公开(公告)日： 2012-06-13
  • 发明人: 杨峰 , 蔡芳共 , 赵勇
  • 申请人： 西南交通大学
  • 申请人地址： 四川省成都市二环路北一段111号西南交通大学科技处
  • 专利权人： 西南交通大学
  • 当前专利权人： 西南交通大学
  • 当前专利权人地址： 四川省成都市二环路北一段111号西南交通大学科技处
  • 主分类号： H01G9/04
  • IPC分类号： H01G9/04 ;  H01G9/20 ;  H01M14/00 ;  H01L51/48
高光电效率二氧化钛光纳米管阵列光阳极的制备方法
摘要：
本发明公开了一种高光电效率二氧化钛光纳米管阵列光阳极的制备方法，利用窄带半导体对TiO2纳米管阵列进行修饰，其特征在于：通过阳极氧化法制得二氧化钛纳米管阵列模板，所得阵列模板经450℃退火3.5小时；再将其依次浸渍于硝酸铅溶液、去离子水、硫化钠溶液和去离子水中，所述溶液中铅和硫摩尔比Pb∶S＝1∶1；循环5-8次，最后经超声处理，得到硫化铅修饰的二氧化钛纳米管阵列光阳极。本发明的二氧化钛纳米管阵列光阳极材料制备方法，生产工艺简单，制备的二氧化钛纳米管阵列光阳极材料电流密度和光电转换效率较高，可以直接应用。
摘要（英）：

The invention discloses a preparation method of a titanium-dioxide photo-nanotube array photo-anode with high photoelectric efficiency. The TiO2 nanotube array is modified by utilizing a narrow-band semiconductor. The preparation method is characterized by comprising the following steps of: preparing a titanium-dioxide nanotube array template through an anode oxidation method, and annealing the obtained titanium-dioxide nanotube array template at 450 DEG C for 3.5 hours; then sequentially immersing into a lead nitrate solution, deionized water, a sodium sulfide solution and the deionized water, wherein the mole ratio of lead to sulfur in the solutions is 1:1; and circulating for 5-8 times, and finally carrying out ultrasonic processing to obtain the lead sulfide modified titanium-dioxide nanotube array photo-anode. The preparation method of a titanium-dioxide nanotube array photo-anode material has simple production process; in addition, the prepared titanium-dioxide nanotube array photo-anode material has higher current density and photoelectric conversion efficiency, and can be directly used.

公开/授权文献
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