发明公开
- 专利标题： 半导体器件的制造方法和半导体器件
- 专利标题（英）： Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device
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申请号： CN201010139922.2申请日： 2010-03-23
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公开(公告)号： CN101853792A公开(公告)日： 2010-10-06
- 发明人: 浅见博 , 波多野正喜 , 森本明大
- 申请人： 索尼公司
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 索尼公司
- 当前专利权人： 索尼公司
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
- 代理商 王安武; 南霆
- 优先权： 2009-081097 2009.03.30 JP
- 主分类号： H01L21/50
- IPC分类号： H01L21/50 ; H01L21/60 ; H01L21/54 ; H01L23/48 ; H01L23/18 ; H01L27/146
摘要：
本发明涉及半导体器件的制造方法和半导体器件。半导体器件包括：半导体器件的部件衬底；设置在部件衬底的一个表面上的电极垫盘；对部件衬底进行加强的支撑板材料；在支撑板材料中形成的过孔；充填在过孔中的导电材料；以及被夹置在电极垫盘和导电材料之间并将部件衬底和支撑板材料接合的接合构件。
IPC分类:
