发明授权
CN101850420B 一种包覆层厚度可控钨包覆铜纳米复合粉体的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种包覆层厚度可控钨包覆铜纳米复合粉体的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of tungsten-cladding-copper nanometer composite powder with controllable thickness of cladding coating
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申请号: CN201010209856.1申请日: 2010-06-25
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公开(公告)号: CN101850420B公开(公告)日: 2012-02-08
- 发明人: 陈文革 , 陶文俊 , 李君强
- 申请人: 西安理工大学
- 申请人地址: 陕西省西安市金花南路5号
- 专利权人: 西安理工大学
- 当前专利权人: 西安理工大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市金花南路5号
- 代理机构: 西安弘理专利事务所
- 代理商 罗笛
- 主分类号: B22F1/02
- IPC分类号: B22F1/02 ; B22F9/22
摘要:
本发明公开了一种包覆层厚度可控钨包覆铜纳米复合粉体的制备方法:先将质量为m1的CuO粉体与质量为m2的WO3粉体均匀混合,混合后的粉体置于炉中进行烧结,再将研磨后的CuWO4粉体中加入质量为m3的CuO粉体,混合后置于氢气还原炉中,向炉内通入氢气,通气速率为33L/min,再以每分钟5~10摄氏度的升温速度,升温至360℃保温10分钟,再以每分钟3~5摄氏度的速度升温至800℃,保温30min,停止通氢气,以20L/min的速率通入氦气随炉冷却,冷却至室温后停止通氦气,即得到钨包覆铜纳米复合粉体。本发明制备工艺可以在纳米数量级精确控制W包覆层的厚度,从而可以满足不同钨铜比例含量的应用要求。
公开/授权文献
- CN101850420A 一种包覆层厚度可控钨包覆铜纳米复合粉体的制备方法 公开/授权日:2010-10-06