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CN101842899B 将NVM电路与逻辑电路集成的方法 有权

将NVM电路与逻辑电路集成的方法
摘要：
提供一种用于使非易失性存储器(NVM)电路(18)与逻辑电路(20)集成的方法。该方法包括沉积将第一栅极材料层(16)沉积于基板(12)的NVM区域和逻辑区域之上。该方法还包括沉积包含相互覆盖的氮化物、氧化物及氮化物(ARC层)的多个邻接牺牲层(22、24、26)。使用多个邻接牺牲层(22、24、26)来图形化NVM区域中的存储器晶体管的选择栅极(16)及控制栅极(32)，而使用多个邻接牺牲层(22、24、26)的ARC层(22)来图形化逻辑区域(20)中的逻辑晶体管的栅极(16)。
摘要（英）：

A method for integrating Non-Volatile Memory (NVM) circuitry (18) with logic circuitry (20) is provided. The method includes depositing a first layer of gate material (16) over the NVM area and the logic area of a substrate (12). The method further includes depositing multiple adjoining sacrificial layers (22, 24, 26) comprising nitride, oxide and nitride (ARC layer) overlying each other. The multiple adjoining sacrificial layers (22, 24, 26) are used to pattern a select gate (16) and a control gate (32) of a memory transistor in the NVM area, and an ARC layer (22) of the multiple adjoining sacrificial layers (22, 24, 26) is used to pattern a gate (16) of a logic transistor in the logic area (20).

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