发明授权
CN101836255B 垂直磁记录介质、其制造方法和磁记录再生装置
失效 - 权利终止
- 专利标题： 垂直磁记录介质、其制造方法和磁记录再生装置
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申请号： CN200880113188.3申请日： 2008-08-28
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公开(公告)号： CN101836255B公开(公告)日： 2011-12-07
- 发明人: 高桥研 , 齐藤伸 , 黑川刚平 , 佐佐木有三 , 小松田辰 , 桥本笃志 , 竹尾昭彦 , 前田知幸
- 申请人： 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 昭和电工株式会社,株式会社东芝,国立大学法人东北大学
- 当前专利权人： 昭和电工株式会社,株式会社东芝,国立大学法人东北大学
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理商 段承恩; 陈海红
- 优先权： 226648/2007 2007.08.31 JP
- 国际申请： PCT/JP2008/065438 2008.08.28
- 国际公布： WO2009/028621 JA 2009.03.05
- 进入国家日期： 2010-04-26
- 主分类号： G11B5/738
- IPC分类号： G11B5/738 ; G11B5/65 ; G11B5/667 ; G11B5/851
摘要：
本发明提供一种垂直磁记录介质，其是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质，所述取向控制层由从所述基板侧起包含种子层、第1中间层和第2中间层的3层以上构成，构成所述第1中间层的晶粒分别外延生长于构成所述种子层的晶粒上，构成所述第2中间层的晶粒分别外延生长于构成所述第1中间层的晶粒上，并且，构成所述第2中间层的晶粒与构成所述第1中间层的晶粒相比已微细化。
公开/授权文献
- CN101836255A 垂直磁记录介质、其制造方法和磁记录再生装置 公开/授权日：2010-09-15
IPC分类:
