发明公开
- 专利标题: 一种Re3+:KY(WO4)2激光晶体的生长方法
- 专利标题(英): Growing method of Re<3+>:KY(WO4)2 laser crystal
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申请号: CN200910111235.7申请日: 2009-03-13
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公开(公告)号: CN101831709A公开(公告)日: 2010-09-15
- 发明人: 涂朝阳 , 朱昭捷 , 李坚富 , 王燕 , 游振宇
- 申请人: 中国科学院福建物质结构研究所
- 申请人地址: 福建省福州市杨桥西路155号
- 专利权人: 中国科学院福建物质结构研究所
- 当前专利权人: 中国科学院福建物质结构研究所
- 当前专利权人地址: 福建省福州市杨桥西路155号
- 主分类号: C30B29/32
- IPC分类号: C30B29/32 ; C30B15/00 ; H01S3/16
摘要:
本发明涉及Re3+:KY(WO4)2激光晶体的生长方法,其中Re代表稀土元素,如Nd、Yb等。采用旋转坩埚和熔盐提拉法相结合的方法生长晶体。采用4N的Y2O3、Re2O3和分析纯的W2O3、K2CO3作为原料,采用K2WO4作为助熔剂,进行Re3+:KY(WO4)2激光晶体的生长。所述的助熔剂可以采用K2W2O7代替。
IPC分类: