发明授权
- 专利标题: 高频溅射装置
- 专利标题(英): High-frequency sputtering device
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申请号: CN200880110336.6申请日: 2008-08-29
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公开(公告)号: CN101821424B公开(公告)日: 2013-03-06
- 发明人: 永峰佳纪 , 中村贯人 , 恒川孝二
- 申请人: 佳能安内华股份有限公司
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 佳能安内华股份有限公司
- 当前专利权人: 佳能安内华股份有限公司
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理商 刘新宇; 陈立航
- 优先权: PCT/JP2007/069459 2007.10.04 JP; 2008-215386 2008.08.25 JP
- 国际申请: PCT/JP2008/065485 2008.08.29
- 国际公布: WO2009/044597 JA 2009.04.09
- 进入国家日期: 2010-04-06
- 主分类号: C23C14/34
- IPC分类号: C23C14/34 ; H01L43/08
摘要:
通过使用控制高频溅射装置的自偏压的方法来提供高质量的磁阻薄膜。为了通过调整基板电位来控制基板的自偏压,根据本发明的高频溅射装置包括:室;排气部件,其对所述室的内部进行排气;气体导入部件,其将气体供给至所述室中;基板座,其设置有基板承载台;转动驱动部件,其能够转动所述基板座;溅射阴极,其设置有靶材承载台,并被配置成所述靶材承载台的表面不与所述基板承载台的表面平行;电极,其设置在所述基板座内;以及可变阻抗机构,其电连接至所述电极以调整所述基板座上的基板电位。
公开/授权文献
- CN101821424A 高频溅射装置 公开/授权日:2010-09-01
IPC分类: