- 专利标题： 用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件及其制作方法
- 专利标题（英）： Nano electron device using nanocrystal material as Coulomb island and manufacture method thereof
-
申请号： CN200910077678.9申请日： 2009-02-11
-
公开(公告)号： CN101800242B公开(公告)日： 2013-03-06
- 发明人: 龙世兵 , 刘明 , 李维龙 , 贾锐
- 申请人： 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人： 合肥中科微电子创新中心有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 周国城
- 主分类号： H01L29/772
- IPC分类号： H01L29/772 ; H01L21/336
摘要：
本发明公开了一种用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件及其制作方法。在衬底上制作一对纳米电极，在一对纳米电极之间生长纳米晶材料，纳米电极作为器件的源和漏，纳米晶作为库仑岛，库仑岛上生长的绝缘介质作为栅介质，绝缘介质上的电极作为栅电极。该纳米电子器件及其制作方法具有简单、稳定可靠、工艺步骤少、与传统CMOS工艺兼容的优点。
公开/授权文献
- CN101800242A 用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件及其制作方法 公开/授权日：2010-08-11
IPC分类:
