一种(200)择优取向硫化铅薄膜的制备方法，属于电子材料技术领域，涉及半导体光电薄膜及红外光电探测器，具体是指采用化学浴沉积法制备用于近红外光电探测器的(200)择优取向的硫化铅薄膜的方法。本发明采用化学浴沉积法，通过设计反应前驱物溶液的配置流程，严格控制薄膜的初始成核过程，并通过后续的高温敏化过程，获得(200)择优取向的立方晶相硫化铅薄膜。本发明所制备的硫化铅薄膜具有良好的均匀性和光敏特性，可用于近红外光电探测器。本发明整个制备工艺过程简单、易控，制备装置简单、成本低廉。