发明授权
CN101792143B 提纯硅的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 提纯硅的方法
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申请号: CN201010132284.1申请日: 2010-03-24
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公开(公告)号: CN101792143B公开(公告)日: 2011-12-21
- 发明人: 姜学昭
- 申请人: 姜学昭
- 申请人地址: 北京市昌平北七家名流花园竹苑4号楼2门102
- 专利权人: 姜学昭
- 当前专利权人: 姜学昭
- 当前专利权人地址: 北京市昌平北七家名流花园竹苑4号楼2门102
- 代理机构: 北京北新智诚知识产权代理有限公司
- 代理商 胡福恒
- 主分类号: C01B33/039
- IPC分类号: C01B33/039
摘要:
本发明涉及一种提纯硅的方法,该方法步骤为:向熔融态的待提纯硅加入占待提纯硅的重量百分比10%的熔融态Na2CO3,搅拌10min后,在混合物熔体的表面加覆盖剂后密闭;开始监控并记录待提纯硅的温度;当温度降至1490-1510℃时,减小降温速率;当温度降至硅的熔点时,恒定加热功率;当硅开始降温时,停止加热;自然冷却到室温,取出固态硅;室温下将硅击碎后加入混酸溶液,置通风橱中静置12小时;将已被浸蚀碎裂的硅晶粒与酸液分离后加水浸泡,水洗至中性,过滤、烘干得到高纯硅成品。与传统的定向凝固和区熔相比,极大地提高了凝固过程中杂质的分凝效率,极大地缩短了提纯过程,并提高了纯材料的实收率。
公开/授权文献
- CN101792143A 提纯硅的方法 公开/授权日:2010-08-04