发明授权
CN101788835B 自适应基极电流补偿曲率校正的带隙基准源
失效 - 权利终止
- 专利标题: 自适应基极电流补偿曲率校正的带隙基准源
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申请号: CN201010127309.9申请日: 2010-03-19
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公开(公告)号: CN101788835B公开(公告)日: 2011-12-21
- 发明人: 马卓 , 李少青 , 郭阳 , 谢伦国 , 赵振宇 , 陈吉华 , 张民选 , 张明 , 谭晓强 , 郭斌 , 何小威 , 孙岩 , 乐大珩
- 申请人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 申请人地址: 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号
- 专利权人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 当前专利权人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 当前专利权人地址: 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号
- 主分类号: G05F3/30
- IPC分类号: G05F3/30
摘要:
带隙基准源被广泛的应用于各种模拟/数模混合集成电路中,基准电压源/电流源的温度稳定性决定了整体电路的性能。三极管的集电极电流密度相等(或成比例)是实现带隙基准的一个基本条件,但由于三极管流控器件的本质属性,发射极-基极电流的分流作用会影响集电极的电流密度,从而影响带隙基准的温度稳定性。针对这个问题,本发明公开了一种利用自适应基极电流补偿技术实现曲率校正的带隙基准源,通过电流补偿确保了三极管的集电极电流密度相等(或成比例)。本发明中的电路由带隙基准核心电路和两组自适应基极电流补偿电路组成。
公开/授权文献
- CN101788835A 自适应基极电流补偿曲率校正的带隙基准源 公开/授权日:2010-07-28
IPC分类: