发明公开
CN101785071A 导电体层的制造方法
无效 - 撤回
- 专利标题: 导电体层的制造方法
- 专利标题(英): Conductor layer manufacturing method
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申请号: CN200880104456.5申请日: 2008-08-27
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公开(公告)号: CN101785071A公开(公告)日: 2010-07-21
- 发明人: 山田直臣 , 一杉太郎 , 长谷川哲也
- 申请人: 旭硝子株式会社
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 旭硝子株式会社
- 当前专利权人: 旭硝子株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 刘多益; 胡烨
- 优先权: 2007-222988 2007.08.29 JP
- 国际申请: PCT/JP2008/065333 2008.08.27
- 国际公布: WO2009/028569 JA 2009.03.05
- 进入国家日期: 2010-02-22
- 主分类号: H01B13/00
- IPC分类号: H01B13/00 ; C23C14/08 ; G02F1/1343
摘要:
本发明提供能够以良好的生产性制造导电性良好且透明度良好的氧化钛系导电体层的方法。该方法是在将基体加热的状态下,在该基体上依次形成由添加了Nb等掺杂剂的氧化钛构成的第1层和第2层,藉此形成导电体层。第1层以形成为含多晶且该多晶不含金红石型结晶的层的成膜条件形成。直接在基体上形成第2层时,以获得含多晶且该多晶含金红石型结晶的层的成膜条件形成。