纯化多晶硅的方法

发明公开

摘要：

本发明涉及不使用盐酸和过氧化氢的清洁多晶硅的方法。

摘要（英）：

The present invention relates to a process for purifying polycrystalline silicon without hydrochloric acid and without hydrogen peroxide.

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IPC分类:

C	化学；冶金
C01	无机化学
C01B	非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B）
C01B33/00	硅; 其化合物(C01B 21/00, C01B 23/00优先; 过硅酸盐入 C01B 15/14; 碳化物入C01B32/956)
C01B33/02	.硅（形成单晶或有一定结构的均匀多晶材料入C30B）
C01B33/037	..纯化（用区域熔融入C30B13/00）