发明公开
- 专利标题: 微谐振器系统及其制造方法
- 专利标题(英): Microresonator system and methods of fabricating the same
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申请号: CN200880100998.5申请日: 2008-07-30
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公开(公告)号: CN101765949A公开(公告)日: 2010-06-30
- 发明人: M·谭 , S·-Y·王 , D·斯图尔特 , D·法塔勒
- 申请人: 惠普发展公司 , 有限责任合伙企业
- 申请人地址: 美国得克萨斯州
- 专利权人: 惠普发展公司,有限责任合伙企业
- 当前专利权人: 慧与发展有限责任合伙企业
- 当前专利权人地址: 美国得克萨斯州
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 李玲
- 优先权: 11/888,016 2007.07.30 US
- 国际申请: PCT/US2008/009224 2008.07.30
- 国际公布: WO2009/017769 EN 2009.02.05
- 进入国家日期: 2010-01-28
- 主分类号: H01S3/08
- IPC分类号: H01S3/08 ; H01S3/109
摘要:
本发明的多个实施例涉及可用作激光器、调制器以及光检测器的微谐振器系统以及用于制造微谐振器系统的方法。在一个实施例中,一种微谐振器系统(100)包括具有顶表面层(104)的衬底(106)、埋入衬底(106)的至少一个波导(114,116)以及微盘(102),该微盘(102)具有顶层(118)、中间层(122)、底层(120)、电流隔离区(128)以及外围环形区(124,126)。微盘(102)的底层(120)与衬底(106)的顶表面层(104)电连接,且被定位成使外围环形区(124,126)的至少一部分位于至少一个波导(114,116)之上。电流隔离区(128)被配置成占据微盘的中心区域的至少一部分,而且具有相对外围环形区而言更低的折射率和更大的带隙。
公开/授权文献
- CN101765949B 微谐振器系统及其制造方法 公开/授权日:2011-07-13