发明授权
- 专利标题: 内置位移传感器的磁流变阻尼器
- 专利标题(英): Magneto-rheological damper of inbuilt displacement sensor
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申请号: CN200910250813.5申请日: 2009-12-23
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公开(公告)号: CN101761599B公开(公告)日: 2011-07-20
- 发明人: 谭和平
- 申请人: 重庆仪表材料研究所
- 申请人地址: 重庆市北碚区龙凤三村1号
- 专利权人: 重庆仪表材料研究所
- 当前专利权人: 重庆材料研究院有限公司
- 当前专利权人地址: 重庆市北碚区龙凤三村1号
- 主分类号: F16F9/53
- IPC分类号: F16F9/53 ; F16F9/50
摘要:
本发明公开了一种内置位移传感器的磁流变阻尼器,内置位移传感器的磁流变阻尼器由工作缸、芯部带大小孔的活塞、活塞杆、内置管和位移传感器构成,在工作缸内充满磁流变液;当活塞杆推动活塞在工作缸内运动时,活塞杆进入或退出工作缸内的同时,内置管也进入或退出活塞的大孔内,因活塞杆的外径与内置管相同,使工作缸内的体积不变;活塞运动时还带动安装在内置管中的位移传感器的滑动轴运动,使安装在内置管内的位移传感器能输出活塞实时位移量的信号。
公开/授权文献
- CN101761599A 内置位移传感器的磁流变阻尼器 公开/授权日:2010-06-30