- 专利标题: 微处理器装置、集成电路以及晶片噪声减少方法
- 专利标题(英): Microprocessor, integrated circuit, and wafer noise reducing method
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申请号: CN200910176066.5申请日: 2009-09-25
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公开(公告)号: CN101686049A公开(公告)日: 2010-03-31
- 发明人: 雷蒙·A.·贝特伦 , 马克·J.·伯兹 , 凡妮莎·S.·坎尼克 , 达鲁斯·D.·嘉斯金斯 , 詹姆斯·R.·隆柏格 , 马修·罗素·尼克森
- 申请人: 威盛电子股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾台北县
- 专利权人: 威盛电子股份有限公司
- 当前专利权人: 威盛电子股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾台北县
- 代理机构: 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理商 刘新宇; 王璐
- 优先权: 12/237,463 2008.09.25 US; 12/237,483 2008.09.25 US
- 主分类号: H03K19/0185
- IPC分类号: H03K19/0185 ; H01L27/092
摘要:
一种微处理器装置、集成电路以及晶片噪声减少方法,该装置包括第一基底偏压导线于第一操作模式期间提供第一基底偏压,第一电源供应节点提供核心电压,钳位装置耦接于第一基底偏压导线与第一电源供应节点之间及控制装置。控制装置于第二操作模式导通钳位装置以钳制第一基底偏压导线至第一电源供应节点,于第一操作模式不导通钳位装置。钳位装置可为P与N型沟道装置。微处理器可包括电平移位电路与缓冲电路根据基底偏压电平控制钳位装置。微处理器可包括具有第一与第二区域的基底。区域分别包括第一与第二基底偏压导线。控制装置分别导通或不导通钳位装置,并根据不同电力模式选择钳制第一与第二区域的基底偏压导线。本发明减低了次临界漏电流。
公开/授权文献
- CN101686049B 微处理器装置、集成电路以及晶片噪声减少方法 公开/授权日:2012-05-23
IPC分类: