发明授权
CN101685871B 二次电池及其形成方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 二次电池及其形成方法
- 专利标题（英）： Secondary battery and forming method thereof
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申请号： CN200910151146.5申请日： 2009-07-27
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公开(公告)号： CN101685871B公开(公告)日： 2013-03-06
- 发明人: 郭鲁显 , 张营喆 , 徐镜源 , 河载暎
- 申请人： 三星SDI株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星SDI株式会社
- 当前专利权人： 三星SDI株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京德琦知识产权代理有限公司
- 代理商 罗正云; 王诚华
- 优先权： 61/099,138 2008.09.22 US; 12/397,578 2009.03.04 US
- 主分类号： H01M10/00
- IPC分类号： H01M10/00 ; H01M10/36 ; H01M10/42 ; H01M2/34 ; H01M10/04 ; H01M10/38
摘要：
本发明涉及一种二次电池及其形成方法，该二次电池通过减小内部器件的尺寸和紧凑定位这些内部器件而能够被形成为相对较小。因此，该二次电池的体积被减小，且其容量被保持，从而增大该二次电池的容量密度。在一个实施例中，该二次电池包括具有盖板的裸电池和在该裸电池上并包括表面接触所述盖板的印刷电路板的保护电路模块。
公开/授权文献
- CN101685871A 二次电池及其形成方法 公开/授权日：2010-03-31
