发明公开
- 专利标题: 光致抗蚀用化合物、光致抗蚀液及使用其的蚀刻方法
- 专利标题(英): Compound for photoresist, photoresist solution, and etching method using the photoresist solution
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申请号: CN200880007061.3申请日: 2008-03-05
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公开(公告)号: CN101675117A公开(公告)日: 2010-03-17
- 发明人: 渡边哲也 , 宇佐美由久
- 申请人: 富士胶片株式会社
- 申请人地址: 日本国东京都
- 专利权人: 富士胶片株式会社
- 当前专利权人: 富士胶片株式会社
- 当前专利权人地址: 日本国东京都
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 朱丹
- 优先权: 054289/2007 2007.03.05 JP; 196756/2007 2007.07.27 JP; 212149/2007 2007.08.16 JP; 267664/2007 2007.10.15 JP; 267665/2007 2007.10.15 JP; 047127/2008 2008.02.28 JP; 047130/2008 2008.02.28 JP; 047237/2008 2008.02.28 JP; 047238/2008 2008.02.28 JP; 047243/2008 2008.02.28 JP
- 国际申请: PCT/JP2008/053954 2008.03.05
- 国际公布: WO2008/108406 JA 2008.09.12
- 进入国家日期: 2009-09-03
- 主分类号: C09B23/00
- IPC分类号: C09B23/00 ; C09B29/48 ; C09B45/14 ; C09B45/18 ; C09B45/20 ; C09B45/48 ; C09B47/12 ; C09B47/18 ; C09B47/20 ; G03F7/004
摘要:
本发明涉及从具有氧杂菁色素骨架的化合物,具有花青色素、苯乙烯基色素、部花青色素骨架的化合物,具有酞菁色素骨架的化合物,偶氮化合物,以及偶氮化合物与金属离子的络合物选择的光致抗蚀用化合物。另外,本发明提供了使用含有至少一种上述光致抗蚀用化合物的光致抗蚀液,以及使用上述光致抗蚀液的被加工表面的蚀刻方法。