发明授权
CN101638213B 可整合半导体制程的微结构制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 可整合半导体制程的微结构制造方法
- 专利标题（英）： Micro structural manufacture method capable of integrating semiconductor processing
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申请号： CN200810145283.3申请日： 2008-08-01
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公开(公告)号： CN101638213B公开(公告)日： 2012-12-19
- 发明人: 陈晓翔 , 叶力垦 , 刘政谚
- 申请人： 微智半导体股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾
- 专利权人： 微智半导体股份有限公司
- 当前专利权人： 微智半导体股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾
- 代理机构： 上海浦一知识产权代理有限公司
- 代理商 刘昌荣
- 主分类号： H01L21/30
- IPC分类号： H01L21/30 ; B81C1/00
摘要：
本发明公开了一种可整合半导体制程的微结构制造方法，在一硅基层上表面形成一绝缘层，绝缘层设有彼此独立的至少一微结构与多个金属电路，微结构与金属电路受绝缘层包覆进行蚀刻，绝缘层成型一与金属电路及外部导体电性连结的金属连接层，金属连接层外露于该绝缘层表面上受一保护层覆盖进行蚀刻，避免微结构与金属连接层遭受蚀刻液侵蚀破坏。
公开/授权文献
- CN101638213A 可整合半导体制程的微结构制造方法 公开/授权日：2010-02-03
IPC分类:
