发明授权
CN101630176B 低电压CMOS带隙基准电压源
失效 - 权利终止
- 专利标题: 低电压CMOS带隙基准电压源
- 专利标题(英): Low-voltage complementary metal-oxide-semiconductor transistor (CMOS) band gap reference voltage source
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申请号: CN200910304881.5申请日: 2009-07-28
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公开(公告)号: CN101630176B公开(公告)日: 2011-11-16
- 发明人: 范涛 , 袁国顺
- 申请人: 中国科学院微电子研究所 , 北京中科微电子技术有限公司
- 申请人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所
- 专利权人: 中国科学院微电子研究所,北京中科微电子技术有限公司
- 当前专利权人: 中国科学院微电子研究所,北京中科微电子技术有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所
- 代理机构: 北京市德权律师事务所
- 代理商 王建国
- 主分类号: G05F3/30
- IPC分类号: G05F3/30
摘要:
本发明公开了一种低电压CMOS带隙基准电压源,属于电源及微电子技术领域。所述CMOS带隙基准电压源包括:低电压放大器,用于在低电源电压下实现负反馈;一阶温度补偿产生电路,与低电压放大器相连,用于在低电源电压下,产生能够进行一阶温度补偿的电流项;高阶温度补偿产生电路,与低电压放大器相连,用于在低电源电压下,产生能够进行高阶温度补偿的电流项;输出电压产生电路,用于产生输出电压。本发明提供的在低电源电压下工作CMOS带隙基准电压源,将低电压放大器分别引入基准电压源的一阶补偿项和高阶补偿项中,然后比例求和并输出参考电压,从而保证了整个电路工作在很低的电源电压条件下。
公开/授权文献
- CN101630176A 低电压CMOS带隙基准电压源 公开/授权日:2010-01-20
IPC分类: