发明授权
CN101619488B 高比表面积单晶氧化钨的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 高比表面积单晶氧化钨的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of single-crystal tungsten oxide with high specific surface area
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申请号: CN200910055502.3申请日: 2009-07-28
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公开(公告)号: CN101619488B公开(公告)日: 2012-01-25
- 发明人: 朱建 , 王松玲 , 卞振锋 , 曹锋雷 , 李和兴
- 申请人: 上海师范大学
- 申请人地址: 上海市徐汇区桂林路100号
- 专利权人: 上海师范大学
- 当前专利权人: 上海师范大学
- 当前专利权人地址: 上海市徐汇区桂林路100号
- 代理机构: 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司
- 代理商 季申清
- 主分类号: C30B29/16
- IPC分类号: C30B29/16 ; C30B7/10 ; C01G41/02
摘要:
本发明涉及单晶氧化钨材料,一种高比表面积单晶氧化钨的制备方法。现有氧化钨材料应用于纺织印染工业和环境保护,表现出吸附性不强、染料废水处理效果不明显等缺点。本发明方法,包括以下步骤:配制前躯体溶液:将钨酸盐加入水中,水和钨酸盐的摩尔比为241到483;调节pH值:向前躯体溶液加酸、搅拌,调节溶液pH值1~2;将上述溶液静置0.5天~3天;静置后的溶液移入聚四氟乙烯水热釜中,在温度40℃~180℃条件下,陈化6小时~8天;将步骤(4)所得样品离心分离后用水洗涤3次,置入恒温干燥箱中100℃干燥24小时。本发明的优点是:制备工艺简单;氧化钨比表面积大;对染料强吸附性能强;染料废水处理效果好。
公开/授权文献
- CN101619488A 高比表面积单晶氧化钨的制备方法 公开/授权日:2010-01-06
IPC分类: