发明授权
CN101604175B 高阶温度补偿带隙基准电路
失效 - 权利终止
- 专利标题: 高阶温度补偿带隙基准电路
- 专利标题(英): High order temperature supplementary band gap reference circuit
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申请号: CN200910031758.0申请日: 2009-07-07
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公开(公告)号: CN101604175B公开(公告)日: 2011-04-20
- 发明人: 吴金 , 王永寿 , 郑丽霞 , 赵霞 , 姚建楠
- 申请人: 东南大学
- 申请人地址: 江苏省无锡市新区菱湖大道99号
- 专利权人: 东南大学
- 当前专利权人: 东南大学
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市新区菱湖大道99号
- 代理机构: 南京经纬专利商标代理有限公司
- 代理商 许方
- 主分类号: G05F3/30
- IPC分类号: G05F3/30
摘要:
本发明公布了一种高阶温度补偿带隙基准电路,包括带隙基准主电路、反馈控制回路和输出电路,其中带隙基准主电路由六个PMOS管、二个NMOS管、三个电阻和两个PNP三极管构成,反馈控制回路由两个PMOS管、二个NMOS管和两个PNP三极管构成,输出电路由两个PMOS管和四个电阻组成。本发明电路具有较低的温度系数、较高的电源抑制比同时具有较高的工艺稳定性。
公开/授权文献
- CN101604175A 高阶温度补偿带隙基准电路 公开/授权日:2009-12-16
IPC分类: