发明授权
- 专利标题： 压电薄膜元件以及压电薄膜装置
- 专利标题（英）： Piezoelectric thin film element and piezoelectric thin film device
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申请号： CN200910145449.6申请日： 2009-06-01
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公开(公告)号： CN101599527B公开(公告)日： 2013-08-14
- 发明人: 柴田宪治 , 冈史人 , 末永和史
- 申请人： 日立电线株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 日立电线株式会社
- 当前专利权人： 住友化学株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京银龙知识产权代理有限公司
- 代理商 张敬强
- 优先权： 2008-147901 2008.06.05 JP
- 主分类号： H01L41/08
- IPC分类号： H01L41/08 ; H01L41/187 ; C04B35/495
摘要：
本发明提供一种使用了具有可代替PZT薄膜的压电特性的KNN压电薄膜的压电薄膜元件。在硅基板(1)上具有下部电极(2)、压电薄膜(3)和上部电极(4)的压电薄膜元件中，上述压电薄膜(3)具有用一般式(K1-xNax)NbO3(0＜x＜1)表示的碱性铌氧化物系钙钛矿构造的薄膜，上述(K1-xNax)NbO3薄膜的面外方向晶格常数c与面内方向晶格常数a的比在0.0980≤c/a≤1.0100的范围。
公开/授权文献
- CN101599527A 压电薄膜元件 公开/授权日：2009-12-09
IPC分类:
