发明授权
CN101515478B 改进的三维只读存储器
失效 - 权利终止
- 专利标题： 改进的三维只读存储器
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申请号： CN200810183943.7申请日： 2002-09-30
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公开(公告)号： CN101515478B公开(公告)日： 2011-12-21
- 发明人: 张国飙
- 申请人： 张国飙
- 申请人地址： 四川省成都市建设路59号5A-001信箱
- 专利权人： 张国飙
- 当前专利权人： 张国飙
- 当前专利权人地址： 四川省成都市建设路59号5A-001信箱
- 分案原申请号： 021310890 2002.09.30
- 主分类号： G11C17/12
- IPC分类号： G11C17/12 ; H01L27/112
摘要：
本发明提出一种改进的三维只读存储器，其地址选择线含有一低掺杂层和一高导电层，该低掺杂层位于该地址选择线底部，该高导电层位于该低掺杂层上方；和一倒U形连接，该倒U形连接从上方和/或侧面与所述高导电层实现欧姆电接触。
公开/授权文献
- CN101515478A 改进的三维只读存储器 公开/授权日：2009-08-26
