发明授权
- 专利标题: 半导体存储器
- 专利标题(英): Semiconductor memory
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申请号: CN200910002208.6申请日: 2003-02-20
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公开(公告)号: CN101452739B公开(公告)日: 2011-01-19
- 发明人: 中村俊和 , 江渡聪 , 三代俊哉
- 申请人: 富士通半导体股份有限公司
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 富士通半导体股份有限公司
- 当前专利权人: 株式会社索思未来
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 李辉
- 优先权: PCT/JP02/06327 2002.06.25 JP
- 分案原申请号: 03814798X 2003.02.20
- 主分类号: G11C7/22
- IPC分类号: G11C7/22 ; G11C11/4076 ; G11C11/406
摘要:
一种半导体存储器。该半导体存储器包括:存储器内核,其具有存储单元;定时器,其从接收到外部访问信号开始测量预定时间,并且在经过所述预定时间之后输出访问请求信号,所述外部访问信号用于使所述存储器内核执行读取操作,所述访问请求信号用于使所述存储器内核进行操作;禁止端子,其接收用于禁止所述定时器测量所述预定时间的禁止信号;以及开始信号输出电路,其在提供所述禁止信号的同时响应于接收所述外部访问信号而强制输出所述访问请求信号,其中,所述预定时间比内核操作时间长,该内核操作时间是所述存储器内核执行单个操作所花费的时间。
公开/授权文献
- CN101452739A 半导体存储器 公开/授权日:2009-06-10