发明公开
- 专利标题: 热质转印基底膜、供体元件、以及它们的制备与使用方法
- 专利标题(英): Thermal mass transfer substrate films, donor elements, and methods of making and using same
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申请号: CN200780018248.9申请日: 2007-05-09
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公开(公告)号: CN101448640A公开(公告)日: 2009-06-03
- 发明人: 马丁·B·沃尔克 , 托马斯·R·小霍芬德 , 斯蒂芬·A·约翰逊 , 约翰·P·贝茨尔德 , 理查德·J·汤普森 , 特伦斯·D·尼维恩 , 迈克尔·A·哈泽 , 谢尔盖·A·拉曼斯基
- 申请人: 3M创新有限公司
- 申请人地址: 美国明尼苏达州
- 专利权人: 3M创新有限公司
- 当前专利权人: 3M创新有限公司
- 当前专利权人地址: 美国明尼苏达州
- 代理机构: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 丁业平; 张天舒
- 优先权: 11/420,894 2006.05.30 US
- 国际申请: PCT/US2007/068526 2007.05.09
- 国际公布: WO2007/143322 EN 2007.12.13
- 进入国家日期: 2008-11-19
- 主分类号: B32B27/20
- IPC分类号: B32B27/20
摘要:
本发明提供基底膜、热质转印供体元件、以及制备和使用所述基底膜与所述热质转印供体元件的方法。在一些实施例中,此类基底膜和供体元件包括至少两个成对层,其中每个成对层都包括吸收性第一层和基本非吸收性的第二层。本发明还提供制备供体元件的方法,所述供体元件包括基本非吸收性的基底、吸收性第一层、和非吸收性的第二层,其中所述基本非吸收性的基底的组成与所述基本非吸收性的第二层的组成基本相同。