发明授权
CN101432838B 场致发射阴极器件和显示器设备及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 场致发射阴极器件和显示器设备及其制造方法
- 专利标题(英): Field emission cathode device, display device and manufacturing method
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申请号: CN200580030256.6申请日: 2005-09-08
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公开(公告)号: CN101432838B公开(公告)日: 2012-11-14
- 发明人: 茅东升 , R·L·芬克 , Z·雅尼弗
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道水原市
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道水原市
- 代理机构: 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理商 韩明星
- 优先权: 60/609,128 2004.09.10 US; 11/215,696 2005.08.30 US
- 国际申请: PCT/US2005/031775 2005.09.08
- 国际公布: WO2007/035178 EN 2007.03.29
- 进入国家日期: 2007-03-09
- 主分类号: H01J1/62
- IPC分类号: H01J1/62
摘要:
本发明公开一种使用纳米微粒如碳纳米管(CNT)形成用于场致发射器件的阴极的方法。CNT层包含在阴极表面上的电子发射材料。采用本发明的方法,可以通过在阴极表面形成发射孤立体来调整沉积的CNT的密度。CNT发射孤立体的尺寸和分布可用来对形成的CNT层选择最佳的场致发射性质。一个实施方式中,CNT发射孤立体是采用丝网印刷的沉积方法形成的。本发明方法在沉积步骤后不需要进一步的处理步骤来激活或对齐碳纳米管进行场致发射。
公开/授权文献
- CN101432838A 无激活下来自碳纳米管的增强的电子场致发射 公开/授权日:2009-05-13