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发明授权
CN101416286B 以多退火步骤形成氮氧化硅栅极介电层的方法 有权

  • 专利标题： 以多退火步骤形成氮氧化硅栅极介电层的方法
  • 专利标题（英）： Silicon oxynitride gate dielectric formation using multiple annealing steps
  • 申请号： CN200780012443.0
    申请日： 2007-03-30
  • 公开(公告)号： CN101416286B
    公开(公告)日： 2012-12-12
  • 发明人: C·S·奥尔森
  • 申请人： 应用材料公司
  • 申请人地址： 美国加利福尼亚州
  • 专利权人： 应用材料公司
  • 当前专利权人： 应用材料公司
  • 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
  • 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
  • 代理商 陆嘉
  • 优先权： 11/397,010 2006.04.03 US
  • 国际申请： PCT/US2007/065650 2007.03.30
  • 国际公布： WO2007/118031 EN 2007.10.18
  • 进入国家日期： 2008-10-06
  • 主分类号： H01L21/31
  • IPC分类号： H01L21/31
以多退火步骤形成氮氧化硅栅极介电层的方法
摘要：
所揭示的为一种在处理室中处理半导体基材的方法，包括利用一种两步骤退火工艺来形成氮氧化硅膜层。第一退火步骤包括在分压为约1～约100毫托耳的氧化气体存在下将该氮氧化硅膜退火，且第二退火步骤包括在流速为约1slm的氧气下将该氮氧化硅膜退火。第一退火步骤是在比第二退火步骤更高处理室温度且更高处理室压力下实施。
摘要（英）：

A method for processing a semiconductor substrate in a chamber includes forming a silicon oxynitride film using a two-step anneal process. The first anneal step includes annealing the silicon oxynitride film in the presence of an oxidizing gas that has a partial pressure of about 1 to about 100 mTorr, and the second anneal step includes annealing the silicon oxynitride film with oxygen gas that has a flow rate of about 1 slm. The first anneal step is performed at a higher chamber temperature and higher chamber pressure than the second anneal step.

公开/授权文献
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