发明授权
CN101379625B 发光二极管设备及其制造和使用
失效 - 权利终止
- 专利标题: 发光二极管设备及其制造和使用
- 专利标题(英): Light emitting diode device, and manufacture and use thereof
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申请号: CN200780004143.8申请日: 2007-07-05
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公开(公告)号: CN101379625B公开(公告)日: 2010-07-21
- 发明人: 邱国安 , 冯剑 , 彭华军 , 褚宏深
- 申请人: 香港应用科技研究院有限公司
- 申请人地址: 中国香港新界沙田香港科学园科技大道西二号生物资讯中心三楼
- 专利权人: 香港应用科技研究院有限公司
- 当前专利权人: 香港应用科技研究院有限公司
- 当前专利权人地址: 中国香港新界沙田香港科学园科技大道西二号生物资讯中心三楼
- 代理机构: 深圳新创友知识产权代理有限公司
- 代理商 江耀纯
- 优先权: 11/516,564 2006.09.07 US
- 国际申请: PCT/CN2007/070243 2007.07.05
- 国际公布: WO2008/031339 EN 2008.03.20
- 进入国家日期: 2008-07-31
- 主分类号: H01L33/00
- IPC分类号: H01L33/00
摘要:
一种发光二极管设备(300)包括一个多层材料叠层,其包括一个p-层(303)、一个n-层(328)、以及一个光产生区(307),以便在主发光方向(331,337,335,333)上发射光,主发光方向朝向p-层和n-层中的一个层;一个完全透明层(321),靠近位于所述p-层和n-层中的一个层,具有一个第一表面朝向所述p-层和n-层中的一个层和一个相反的第二表面;以及一个反射表面(319),在或靠近透明层的第二表面上形成,用来引导至少一部分发射光偏离主发光方向,从而增强发光二极管设备侧面(330)发出的光。
公开/授权文献
- CN101379625A 发光二极管设备及其制造和使用 公开/授权日:2009-03-04
IPC分类: