发明授权
- 专利标题: 高电化学容量氧化石墨烯及其低温制备方法和应用
- 专利标题(英): High electrochemistry capacitance oxidization plumbago alkene, low-temperature preparation method and uses
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申请号: CN200810151807.X申请日: 2008-09-26
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公开(公告)号: CN101367516B公开(公告)日: 2010-08-04
- 发明人: 杨全红 , 吕伟 , 孙辉
- 申请人: 天津大学
- 申请人地址: 天津市南开区卫津路92号
- 专利权人: 天津大学
- 当前专利权人: 深圳清研紫光科技有限公司
- 当前专利权人地址: 天津市南开区卫津路92号
- 代理机构: 天津市杰盈专利代理有限公司
- 代理商 赵敬
- 主分类号: C01B31/02
- IPC分类号: C01B31/02
摘要:
本发明公开了一种高电化学容量氧化石墨烯及其低温制备方法和应用。所述的氧化石墨烯,该氧化石墨烯片层厚度为0.35~20nm,比表面积为200~800m2/g,电化学比容量达到50~220F/g。其制备方法将氧化石墨在高真空下以一定升温速率升温至150~600℃,维持恒温0.5~20h,得到氧化石墨烯。该材料用于超级电容器电极材料。本发明具有如下优点:制备过程简单,制备温度低,且易于操作,能量消耗低。
公开/授权文献
- CN101367516A 高电化学容量氧化石墨烯及其低温制备方法和应用 公开/授权日:2009-02-18