发明授权
- 专利标题： 相变化存储器及其制造方法
- 专利标题（英）： Phase change memory and manufacturing method thereof
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申请号： CN200710084983.1申请日： 2007-02-26
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公开(公告)号： CN101257084B公开(公告)日： 2014-05-14
- 发明人: 卓言 , 许宏辉
- 申请人： 茂德科技股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹科学工业园
- 专利权人： 茂德科技股份有限公司
- 当前专利权人： 茂德科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹科学工业园
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陶凤波
- 主分类号： H01L45/00
- IPC分类号： H01L45/00 ; H01L27/24 ; G11C11/56
摘要：
本发明有关于一种相变化存储器及其制造方法。该相变化存储器包含：基底；第一电极层，形成于该基底之上；具有环状或条状相变化层，与第一电极电连结；以及，第二电极，形成于该相变化层上，并与该相变化层电连结，其中该第一电极与第二电极至少一者为相变化材料。
公开/授权文献
- CN101257084A 相变化存储器及其制造方法 公开/授权日：2008-09-03
IPC分类:
