发明公开
CN101250029A 离子束抛光工艺修形能力的评价方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 离子束抛光工艺修形能力的评价方法
- 专利标题(英): Evaluation method of ion beam polishing technique modification capability
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申请号: CN200810030955.6申请日: 2008-03-31
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公开(公告)号: CN101250029A公开(公告)日: 2008-08-27
- 发明人: 李圣怡 , 戴一帆 , 解旭辉 , 周林 , 郑子文 , 陈善勇 , 彭小强
- 申请人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 申请人地址: 湖南省长沙市砚瓦池正街47号中国人民解放军国防科学技术大学机电工程与自动化学院机电工程系
- 专利权人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 当前专利权人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 当前专利权人地址: 湖南省长沙市砚瓦池正街47号中国人民解放军国防科学技术大学机电工程与自动化学院机电工程系
- 代理机构: 湖南兆弘专利事务所
- 代理商 赵洪
- 主分类号: C03C23/00
- IPC分类号: C03C23/00
摘要:
本发明公开了一种离子束抛光工艺修形能力的评价方法,该方法是以材料去除有效率作为对抛光过程修形能力进行量化的评价指标,并将它定义为修形能力评价值,通过去除函数的确定、对去除函数进行傅立叶变换,从而计算出抛光工艺过程的修形能力评价函数,再根据修形能力评价函数计算出修形能力评价值,以此对抛光工艺过程修形能力的强弱进行评价和判断。本发明的方法不仅可用于评价和比较同一抛光工艺过程对不同空间频率误差的修形能力强弱,也可用于评价和比较不同工艺过程的修形能力强弱,具有操作简单、判断准确、适用范围广等优点。
公开/授权文献
- CN101250029B 离子束抛光工艺修形能力的评价方法 公开/授权日:2010-09-01