• 专利标题: 多层片状电容器及其制造方法和制造设备
  • 专利标题(英): Multi layer chip capacitor, and method and apparatus for manufacturing the same
  • 申请号: CN200680022470.1
    申请日: 2006-06-21
  • 公开(公告)号: CN101203924B
    公开(公告)日: 2011-06-01
  • 发明人: 河再镐
  • 申请人: 世向产业株式会社
  • 申请人地址: 韩国大邱
  • 专利权人: 世向产业株式会社
  • 当前专利权人: 世向产业株式会社
  • 当前专利权人地址: 韩国大邱
  • 代理机构: 北京润平知识产权代理有限公司
  • 代理商 周建秋; 王凤桐
  • 优先权: 10-2005-0053559 2005.06.21 KR; 10-2006-0055074 2006.06.19 KR
  • 国际申请: PCT/KR2006/002388 2006.06.21
  • 国际公布: WO2006/137689 EN 2006.12.28
  • 进入国家日期: 2007-12-21
  • 主分类号: H01G4/228
  • IPC分类号: H01G4/228
多层片状电容器及其制造方法和制造设备
摘要:
本发明通过设置包括具有多个缝隙的阴罩的单掩模组与沉积源之间的沉积角来进行真空沉积,从而在一次产生的真空状态下一次形成下端子层、介电层、内电极层和上端子层,或者通过使分别包括具有多个缝隙的阴罩并彼此面对的上掩模组和下掩模组相对移动来调节缝隙图案,从而在一次产生的真空状态下一次形成下端子层、介电层、内电极层和上端子层。
公开/授权文献
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