发明授权
CN101187954B 用于使用EM仿真来补偿RFIC的性能退化的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 用于使用EM仿真来补偿RFIC的性能退化的方法
- 专利标题(英): Method for compensating performance degradation of rfic using em simulation
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申请号: CN200710166493.6申请日: 2007-11-20
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公开(公告)号: CN101187954B公开(公告)日: 2012-08-08
- 发明人: 金维新 , 李昌锡 , 杨昌洙 , 李光斗 , 金学善
- 申请人: 三星电机株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 三星电机株式会社
- 当前专利权人: 三星电机株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 章社杲; 尚志峰
- 优先权: 10-2006-0114964 2006.11.21 KR
- 主分类号: G06F17/50
- IPC分类号: G06F17/50
摘要:
提供了一种用于使用EM仿真来补偿射频集成电路(RFIC)的性能退化的方法。该方法包括以下步骤:(a)提取RFIC的设计规范以设计和仿真电路;(b)设计所设计和仿真的电路的布局,并通过使用所设计的布局来提取布局参数;(c)简化布局并执行EM仿真以提取性能参数;(d)通过使用所提取的布局参数和性能参数来执行电路仿真,并判断电路仿真的结果是否满足RFIC的设计规范;(e)当判断电路仿真的结果满足RFIC的设计规范时,执行电路制造处理;以及(f)当判断电路仿真的结果不满足RFIC的设计规范时,部分地去除布局并执行EM仿真,从而分析并补偿性能退化区域。该方法解决了传统RFIC设计方法中出现性能退化时要从设计初始阶段重新处理、设计时间长的问题。
公开/授权文献
- CN101187954A 用于使用EM仿真来补偿RFIC的性能退化的方法 公开/授权日:2008-05-28