发明授权
- 专利标题: 溅射装置及成膜方法
- 专利标题(英): Sputtering apparatus and film forming method
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申请号: CN200680018096.8申请日: 2006-10-05
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公开(公告)号: CN101180417B公开(公告)日: 2010-12-08
- 发明人: 高泽悟 , 浮岛祯之 , 谷典明 , 石桥晓
- 申请人: 株式会社爱发科
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 株式会社爱发科
- 当前专利权人: 株式会社爱发科
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 曹雯; 李平英
- 优先权: 303490/2005 2005.10.18 JP
- 国际申请: PCT/JP2006/319962 2006.10.05
- 国际公布: WO2007/046243 JA 2007.04.26
- 进入国家日期: 2007-11-26
- 主分类号: C23C14/35
- IPC分类号: C23C14/35 ; C23C14/34 ; H01L51/50 ; H05B33/10
摘要:
本发明提供一种靶的使用效率高的溅射装置。本发明的溅射装置(1)具有移动部件(28a、28b),移动部件(28a、28b)可使第一、第二磁铁部件(23a、23b)在与第一、第二靶(21a、21b)的表面平行的面内移动。如果第一、第二磁铁部件(23a、23b)移动,则磁力线也移动,第一、第二靶(21a、21b)表面的高侵蚀区域也移动,因此第一、第二靶(21a、21b)表面的广泛区域可被溅射。
公开/授权文献
- CN101180417A 溅射装置及成膜方法 公开/授权日:2008-05-14
IPC分类: