肖特基势垒半导体器件

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专利标题： 肖特基势垒半导体器件
专利标题（英）： Schottky barrier semiconductor device
申请号： CN200710138424.4

申请日： 2007-07-27
公开(公告)号： CN101114670B

公开(公告)日： 2010-12-01
发明人: 大西一洋
申请人： 松下电器产业株式会社
申请人地址： 日本大阪府
专利权人： 松下电器产业株式会社
当前专利权人： 松下电器产业株式会社
当前专利权人地址： 日本大阪府
代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
代理商 张鑫
优先权： 2006-205465 2006.07.28 JP
主分类号： H01L29/40
IPC分类号： H01L29/40 ; H01L29/47 ; H01L29/41

摘要：

本发明揭示一种肖特基势垒半导体器件，在低浓度的半导体层102的层内形成到达半导体基板101的沟槽103，在沟槽103之间形成台面部102a，通过这样对于浪涌电压及过渡电压实现高耐久性。

摘要（英）：

The invention discloses a Schottky barrier semiconductor device. A groove 103 to a semiconductor substrate 101 is formed in a low-concentration semiconductor layer 102. A table part 102a is formed in the groove 103. The high durability of surge voltage and transition voltage is realized in this way.

公开/授权文献

CN101114670A 肖特基势垒半导体器件公开/授权日：2008-01-30

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/40	.按其电极特征区分的