发明公开
CN101025404A ECT/ERT双模态成像系统交叉式复合阵列传感器
失效 - 权利终止
- 专利标题: ECT/ERT双模态成像系统交叉式复合阵列传感器
- 专利标题(英): ECT/ERT double mode-state imaging system cross-type composite array sensor
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申请号: CN200710056857.5申请日: 2007-03-05
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公开(公告)号: CN101025404A公开(公告)日: 2007-08-29
- 发明人: 王化祥 , 崔自强
- 申请人: 天津大学
- 申请人地址: 天津市南开区卫津路92号
- 专利权人: 天津大学
- 当前专利权人: 天津大学
- 当前专利权人地址: 天津市南开区卫津路92号
- 代理机构: 天津才智专利商标代理有限公司
- 代理商 吕志英
- 主分类号: G01N27/00
- IPC分类号: G01N27/00 ; G01R27/00
摘要:
本发明提供一种ECT/ERT双模态成像系统交叉式复合阵列传感器,该传感器设置于被测对象的管道上,包括有电极数量一致的ECT电极阵列和ERT电极阵列并均匀、交叉地设置在被测管道截面的内/外壁上,ECT电极阵列和ERT电极阵列中的电极数为8~64个,在每两个ECT电极之间设置ERT电极;在所述ERT电极的外部设置有屏蔽罩。有益效果是在使用该传感器时,可获取被测流体在同一时间、同一位置的流场信息,同时可获得更多方向上的测量信息,有利于提高双模态系统图像重建的质量。当ECT电极阵列工作时,不涉及模拟电子开关的关断状态,ERT电极作为屏蔽电极不会干扰ECT电极阵列的工作,反而可减小被测电容的动态范围,有利于ECT系统的测量,反之亦然。
公开/授权文献
- CN100491993C ECT/ERT双模态成像系统交叉式复合阵列传感器 公开/授权日:2009-05-27