发明授权
CN100543991C 具多数导电结构层及电容器之集成电路装置
失效 - 权利终止
- 专利标题： 具多数导电结构层及电容器之集成电路装置
- 专利标题（英）： Integrated circuit arrangement having a plurality of conductive structure levels and capacitor
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申请号： CN200610139867.0申请日： 2006-09-21
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公开(公告)号： CN100543991C公开(公告)日： 2009-09-23
- 发明人: M·胡梅尔 , H·科内尔 , M·许魏尔德 , M·席克
- 申请人： 英飞凌科技股份公司
- 申请人地址： 德国慕尼黑
- 专利权人： 英飞凌科技股份公司
- 当前专利权人： 英飞凌科技股份公司
- 当前专利权人地址： 德国慕尼黑
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 顾珊; 张志醒
- 优先权： 102005045056.3 2005.09.21 DE
- 主分类号： H01L27/02
- IPC分类号： H01L27/02 ; H01L23/522
摘要：
本发明提供了一种具有至少三个导电结构层的集成电路装置，且增长的互连即排列于在各导电结构层中。由于在本发明中不需使用习知的通道层，因而产生了多种技术功效与新颖应用的可行性，特别是具有绝佳电性性质的电容器(521)。
公开/授权文献
- CN1941368A 具多数导电结构层及电容器之集成电路装置及方法 公开/授权日：2007-04-04
IPC分类:
